STP3NB60FP. Transistor MOSFET N 600V 3A

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Descripción

STP3NB60FP. Transistor MOSFET canal N 600V 3A <3.6Ω. THD capsula TO220FP

STP3NB60FP

Características:

Fabricante Varios
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
Tensión drenaje-fuente 600V
Corriente del drenaje 3A
Poder disipado 35W
Carcasa TO220FP
Tensión puerta-fuente ±20V
Resistencia en estado de transferencia 3.6
Montaje THT
Carga de puerta 81nC
Clase de canal enriquecido

Información adicional

  • Peso bruto: 2 g