Descripción
STD10NF10T4. Transistor MOSFET canal N 100V 9A 130mΩ SMD. Capsula DPAK
STD10NF10T4
Características:
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Varios
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N-MOSFET
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SuperMesh™
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unipolar
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100V
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9A
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50W
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DPAK
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±20V
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130mΩ
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SMD
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bobina, cinta
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enriquecido
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ESD protected gate
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- Peso bruto: 0.375 g
