Descripción
RJP63K2. Transistor IGBT 650V 35A. SMD capsula D2PAK
RJP63K2
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Características
Tensión colector emisor en saturación: Vces: 1,9V
Máxima potencia a disipar: 25W
Tensión colector emisor máxima V(br)ceo: 630V
Rango de temperatura: -55 °C a +150 °C
Capsula: TO263 o D2PAK
Corriente de colector Ic continua máxima: 35A
Tiempo de tf: 60ns
Tipo de terminación: Agujero pasante
Polaridad del transistor: Canal N
