RJP63K2. Transistor IGBT 630VDC 35A TO220FP

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Descripción

RJP63K2. Transistor IGBT 630V 35A. THD capsula TO220FP AISLADO

RJP63K2

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Características

Tensión colector emisor en saturación: Vces: 1,9V

Máxima potencia a disipar: 25W

Tensión colector emisor máxima V(br)ceo: 630V

Rango de temperatura: -55 °C a +150 °C

Capsula: TO-220FP

Corriente de colector Ic continua máxima: 35A

Tiempo de tf: 60ns

Tipo de terminación: Agujero pasante

Polaridad del transistor: Canal N