Descripción
RJH60T4DPQ. Transistor IGBT canal N 600V 60A. THD capsula TO247
RJH60T4DPQ
Especial placas de inducción
Transistor IGBT. El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Características
Tipo de transistor: IGBT
Tensión colector emisor en saturación: Vces: 1,7V
Máxima potencia a disipar: 195W
Tensión colector emisor máxima V(br)ceo: 600V
Rango de temperatura: -55 °C a +150 °C
Capsula: TO-3PN
Corriente de colector Ic continua máxima: 60A
Temperatura: 25°C
Corriente de colector Ic continua máxima: 30A
Temperatura: 100°C
Tiempo de tf: 70ns
I de pulso Icm: 120A
Tiempo de subida: 50ns
Tipo de terminación: Agujero pasante
Polaridad del transistor: Canal N
