RJH60T4DPQ. Transistor IGBT N 600V 60A TO247

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Descripción

RJH60T4DPQ. Transistor IGBT canal N 600V 60A. THD capsula TO247

RJH60T4DPQ

Especial placas de inducción

Transistor IGBT. El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Características

Tipo de transistor: IGBT

Tensión colector emisor en saturación: Vces: 1,7V

Máxima potencia a disipar: 195W

Tensión colector emisor máxima V(br)ceo: 600V

Rango de temperatura: -55 °C a +150 °C

Capsula: TO-3PN

Corriente de colector Ic continua máxima: 60A

Temperatura: 25°C

Corriente de colector Ic continua máxima: 30A

Temperatura: 100°C

Tiempo de tf: 70ns

I de pulso Icm: 120A

Tiempo de subida: 50ns

Tipo de terminación: Agujero pasante

Polaridad del transistor: Canal N