Descripción
IRLB4030. Transistor MOSFET canal N 100V 180A 4mΩ. THD. Capsula TO220
IRLB4030
Características:
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N-MOSFET
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HEXFET®
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unipolar
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100V
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180A
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370W
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TO220AB
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±16V
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4.3mΩ
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THT
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87nC
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tubo
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enriquecido
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logic level
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- Peso bruto: 1.987 g
