Descripción
IRF630N. Transistor MOSFET canal N 200V 9.3A 0.3Ω, capsula TO220AB
IRF630N
Características
| Varios | |
| N-MOSFET | |
| HEXFET® | |
| unipolar | |
| 200V | |
| 9.5A | |
| 82W | |
| TO220AB | |
| ±20V | |
| 0.3Ω | |
| THT | |
| 23.3nC | |
| tubo | |
| enriquecido |
- Peso bruto: 1.94 g
IRF630N. Transistor MOS N 200V 9.3A TO220AB
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