Descripción
IRF510. Transistor MOSFET canal N 100V 5.6A 0.5Ω. THD capsula TO220AB
IRF510
Características:
| Varios | |
| N-MOSFET | |
| unipolar | |
| 100V | |
| 4A | |
| 43W | |
| TO220AB | |
| ±20V | |
| 540mΩ | |
| THT | |
| 8.3nC | |
| tubo | |
| enriquecido |
- Peso bruto: 1.975 g
IRF510. Transistor MOS N 100V 5.6A TO220AB
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