Descripción
IPU80R1K0CEBKMA1. Transistor Mosfet N 800V 5.7A. THD y SMD capsula IPAK
IPU80R1K0CEBKMA1
Características:
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Fabricante
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INFINEON TECHNOLOGIES |
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Tipo de transistor
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N-MOSFET |
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Tecnología
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CoolMOS™ CE |
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Polarización
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unipolar |
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Tensión drenaje-fuente
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800V |
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Corriente del drenaje
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5,7A |
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Poder disipado
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83W |
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Carcasa
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IPAK |
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Tensión puerta-fuente
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±20V |
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Resistencia en estado de transferencia
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0,95Ω |
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Montaje
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THT |
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Clase de empaquetado
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tubo |
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Clase de canal
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enriquecido |
