HGTG20N60A4D. Transistor IGBT N 600V 70A TO3PN

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Descripción

HGTG20N60A4D o 20N60A4D . Transistor IGBT canal N 600V 70A. THD capsula TO-3PN

HGTG20N60A4D o 20N60A4D

Especial placas de inducción

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Características

Tipo de transistor: IGBT

Tensión colector emisor en saturación: Vces: 2,1V

Máxima potencia a disipar: 195W

Tensión colector emisor máxima V(br)ceo: 600V

Rango de temperatura: -55 °C a +150 °C

Capsula: TO-3PN

Corriente de colector Ic continua máxima: 70A

Temperatura: 25°C

Corriente de colector Ic continua máxima: 40A

Temperatura: 100°C

Tiempo de tf: 70ns

I de pulso Icm: 220A

Tiempo de subida: 50ns

Tipo de terminación: Agujero pasante

Polaridad del transistor: Canal N